RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
60
En -82% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3482
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link