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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
60
En -71% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3049
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Strontium SRP2G86U1-S6M 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
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