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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
60
En -150% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2900
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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