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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
85
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
2,168.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
85
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
1838
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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