RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Compara
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Puntuación global
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
52
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
1,906.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,672.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,906.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
698
2322
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link