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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
29
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3065
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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