RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2128
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link