Comparación de la memoria RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Puntuación global

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 36

En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

17.6 15

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

13.9 10.3

Valor medio en las pruebas

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2569 3473

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns