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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3013
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
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