RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3550
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link