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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1424
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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