RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
36
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
20
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2503
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link