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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
11.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2622
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
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