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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3060
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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