RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3524
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link