RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston KM0VW4-MID 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
38
En 5% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
38
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2493
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link