RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
62
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
62
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1808
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link