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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3247
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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