Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB vs Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB

Puntuación global
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Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB

Diferencias

  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    32 left arrow 35
    En -9% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    17.4 left arrow 15.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.0 left arrow 9.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 32
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.1 left arrow 17.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 14.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2488 left arrow 3537
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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