RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
41
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2087
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link