RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2353
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link