RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
33
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
20
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3172
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link