RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
39
En 15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
39
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3402
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link