RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
48
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
10.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1858
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link