RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
33
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
26
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2891
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link