RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2697
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link