RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2907
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link