RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
65
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1824
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link