RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
33
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2890
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link