RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
33
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
20
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3359
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link