RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
30
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3694
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link