RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
33
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
18
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3609
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link