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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
41
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
41
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2044
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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