RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
76
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
76
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1887
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link