RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En 52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
69
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1678
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kllisre 8GB
Kllisre 0000 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link