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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2617
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
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