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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston K821PJ-MIB 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingston K821PJ-MIB 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
37
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2458
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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