RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
95
En 65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
95
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1518
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link