RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
57
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
17.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
57
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2328
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link