RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
57
En 42% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
17.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
57
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2328
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link