RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
77
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
77
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
1809
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Inmos + 256MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link