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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2368
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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