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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
33
En -43% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2886
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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