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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Compara
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
18.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
13.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
36
Velocidad de lectura, GB/s
18.5
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
13.8
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3341
3526
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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