RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
36
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
22
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3207
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link