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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
2609
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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