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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3429
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
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Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
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