RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Compara
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Puntuación global
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
13.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3711
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMV8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link