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Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB vs Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Puntuación global
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Puntuación global
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
1175
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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