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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R7416G2133U2S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
78
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R7416G2133U2S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
78
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
1594
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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