Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

23 30

En 23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 11.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 6.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 10600

En 1.6 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2269 1254

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns